班轮流,没日没夜地钻研光刻技术。
努力当然是有成效的,半年后,他们突破了28纳米的工艺,一年后,他们实现了20纳米的光刻工艺。
2016年6月,旻西科技从阿斯麦尔订购的28纳米光刻机终于交货。这就意味着,旻西科技可以自己研发14纳米的芯片工艺了。
不过公司并没有让在上海出差的工程师们立即回深圳,因为14纳米的工艺研发已经进入关键时刻。
10月30日,旻西召开了最新款手机旻西y5s的发布会,这比往年8月中旬的发布会迟了两个多月。
为什么会晚这么多?除了功能升级外,还有旻西和振中的工程师们合力突破了14纳米的芯片工艺的缘故。
振中实现了14纳米的芯片量产,而且良品率达到了91,这个良品率不算很高,但已经完全可以满足商用了。
振中突破了14纳米的芯片工艺,意味着
旻西芯片也突破了14纳米的芯片工艺。
但不管是振中还是旻西,都没有立即对外声称他们的芯片工艺达到了这个水平,振中对外声称的是芯片工艺突破了20纳米。
晏旻和蔺征西费了九牛二虎之力,才劝说胡耀伟接受了这个提议。
毕竟实现工艺突破的目的是为了什么?就是想让有需求的客户知道,他们能够生产这种精度的芯片,以吸引客户来他们这里下单,工厂才能赚到钱。
现在工艺突破了,却不让往外说,那不就等于把生意拒之门外嘛,胡耀伟一开始是拒绝的。
晏旻和蔺征西都认为目前并不是公布这个结果的好时机,他们给胡耀伟仔细分析了一下当前的产业环境,英特尔、台基电和三星都尚未实现更高精度的工艺突破,他们争抢14纳米的手机芯片订单已经进入了白热化阶段。
这个时候如果宣布振中已经实现了14纳米芯片的量产,能引来多少客户不好说,但绝对会招来无尽的麻烦。
不到三年时间就完成了从零基础到14纳米芯片工艺的突破,一个新生的芯片厂就有这样恐怖的潜力,英特尔、台基电、三星等都不会对振中坐视不理,趁早绞杀在摇篮中才是正途。
最直接的办法,就是掐断光刻机的供应,毕竟他们都是阿斯麦尔的股东,振中以后再也别想买到更高精度的光刻机。
为了让振中暂时不对外宣称14纳米的工艺突破,旻西允诺将自家14纳米的芯片都交给振中生产。
胡耀伟考虑了很久,最后答应下来这个提议。
事实上,他们宣称可以量产20纳米的芯片时,还是引起了业内的关注。旻西生产芯片那么多年了,至今的生产工艺还只有30纳米。
而一个之前从来没有芯片生产经验的工厂,在买了一台28纳米的光刻机后,用了两三年的时间,就实现了20
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